[发明专利]提高物理溅射成膜质量的方法无效
| 申请号： | 201210246238.3 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN103540902A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 刘善善;费强;李晓远 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高物理溅射成膜质量的方法，包括：步骤1、将晶片送入除水工艺腔去除吸附水及易挥发物处理；步骤2、将晶片送入搬运腔等待，其中等待时间范围为5-40秒，搬运腔内的温度为0-50摄氏度，搬运腔中的压力大于2.2托。步骤3、等待时间结束后，将晶片送入溅射工艺腔进行物理溅射成膜。步骤4、成膜结束后，成膜完的晶片将会送入冷却腔进行冷却，整个成膜工艺结束。通过本发明所提供的提高物理溅射成膜质量的方法所得到的成膜晶片的成膜颗粒小，且稳定性良好，避免了成膜晶片直接进入工艺腔而造成的成膜颗粒明显偏大的现象，并且基本不影响真个工艺流程的总时间，提高生产效率，降低了工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 物理 溅射 质量 方法 | ||
【主权项】：
一种提高物理溅射成膜质量的方法，包括：步骤1、将晶片送入除水工艺腔去除吸附水及易挥发物处理；步骤2、将晶片送入搬运腔等待；步骤3、等待时间结束后，将晶片送入溅射工艺腔进行物理溅射成膜；步骤4、成膜结束后，成膜完的晶片将会送入冷却腔进行冷却，整个成膜工艺结束。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210246238.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
