[发明专利]一种基于CMP仿真模型的哑元综合优化方法

摘要

本发明属于半导体可制造性设计领域，针对铜互连哑元金属填充的技术，具体涉及一种基于CMP仿真模型的哑元综合优化方法。本发明方法通过全芯片CMP仿真得到CMP抛光后的芯片表面高度形貌，并得到高度变化剧烈的有效热点区域；在有效热点区域迭代地进行步进式哑元填充和局部区域快速CMP仿真逐步消除热点；最终通过全芯片CMP仿真确定无有效热点为止。与基于规则的哑元综合方法相比，本发明可确保哑元填充后的版图其CMP抛光后的高度偏差在给定的偏差门限内，且哑元填充量较少。实验表明，在相同填充量下，本发明所述的两种哑元填充方法SMDF和FMF得到的高度形貌均方差比密度驱动的哑元填充方法平均小约58％，具有明显的优势。

主权项

一种基于CMP仿真模型的哑元综合优化方法，其特征是，所述的方法是基于全芯片CMP精确仿真器和局部快速CMP仿真器进行哑元填充的迭代求解过程，其步骤包括：步骤1：高精度全芯片CMP仿真，用全芯片CMP精确仿真器对待填充版图中的特定层进行仿真，得到CMP抛光后的高度形貌；步骤2：统计全芯片的高度形貌，并计算有效热点；步骤3：判断是否存在有效热点，如果存在有效热点则跳转步骤4；否则，哑元综合过程结束；步骤4：对有效热点区域的网格进行步进式哑元填充，本发明提出两种填充策略：（4‑A）选取最坏的有效热点区域进行步进式哑元填充、（4‑B）对所有有效热点区域进行步进式哑元填充；步骤5：利用局部区域快速CMP仿真器对填充后的有效热点区域进行局部快速仿真，更新局部表面高度形貌；步骤6：在局部区域，计算有效热点；步骤7：在局部区域，判断是否存有效热点，若存在局部有效热点，则返回步骤4；否则，返回步骤1。