[发明专利]锆掺杂铌镁酸铅陶瓷的制备方法无效
申请号: | 201210247244.0 | 申请日: | 2012-07-17 |
公开(公告)号: | CN102757233A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 樊慧庆;彭彪林;李强 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | C04B35/622 | 分类号: | C04B35/622;C04B35/01;C04B35/497 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 王鲜凯 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种锆掺杂铌镁酸铅陶瓷的制备方法,用于解决现有方法制备的锆掺杂铌镁酸铅陶瓷介电常数小、调谐率低的技术问题。技术方案是将分析纯MgO、Nb2O5、PbO和ZrO2,通过球磨,压块,预烧得到MgNb2O6粉体;再分别称量ZrO2和PbO加入经过预烧的MgNb2O6粉体中,再球磨,压大块,煅烧得到PMN粉体;将PMN粉体预压成圆片后等静压压力成型,在1150-1280℃下烧结成瓷。由于选择合适的掺杂元素锆,通过先预合成铌酸镁粉体,再加入二氧化锆和氧化铅粉体进行二次预合成,制备的铌镁酸铅陶瓷与背景技术相同的温度300K条件下,介电常数由背景技术的10000~12000提高到10829~16289,同时介电损耗由背景技术的2%左右下降到0.3~1.3%;当外加电场为25kV/cm时其调谐率由背景技术的30~50%提高到62~75%。 | ||
搜索关键词: | 掺杂 铌镁酸铅 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种锆掺杂铌镁酸铅陶瓷的制备方法,其特征在于包括以下步骤:(a)将分析纯MgO、Nb2O5、PbO和ZrO2,按照化学计量比Pb(Mg1/3Nb2/3)1‑xZrxO3(0≤x≤0.12)称量并且配料;(b)将配料放入球磨罐中,按氧化锆球∶配料∶酒精为3∶1∶1的比例混料球磨,球磨时间为2~6小时;(c)将混料烘干后压块,在1000~1200℃温度下预烧1~6小时粉得到MgNb2O6粉体;(d)再按照化学计量比Pb(Mg1/3Nb2/3)1‑xZrxO3(0≤x≤0.12)分别称量ZrO2和PbO加入经过预烧的MgNb2O6粉体中;(e)将步骤(d)中称好的料放入球磨罐中,再球磨4~8小时,烘干后过筛;(f)将经过再球磨的料烘干后压大块,在900~1100℃温度下煅烧3~6小时得到PMN粉体;(g)将步骤(f)中的粉体过筛后预压成直径为10~12mm,厚度为1~1.2mm的圆片,然后在200~300MPa的等静压压力下成型;(h)将成型后的圆片在1150~1280℃下保温1~4小时,烧结成瓷,经打磨抛光后涂敷银浆,在500~550℃下,保温20~30分钟烧成银电极。
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