[发明专利]与体硅衬底绝缘的半导体器件结构及其形成方法无效
| 申请号： | 201210247449.9 | 申请日： | 2012-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN102891087A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 约翰·Y·陈;布恩·钦·刘 | 申请（专利权）人： | 辉达公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/762;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 徐丁峰;魏宁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 诸如finFET器件的fin结构这样的构成半导体器件的一部分的结构形成在半导体衬底上并与其电隔离。该结构由半导体衬底材料构成，并通过绝缘阻挡层与半导体衬底的其余部分电隔离。该绝缘阻挡层通过氧化半导体衬底中未被氧化阻挡层所保护的部分的各向同性氧化工艺而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 绝缘 半导体器件 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于由半导体衬底形成器件的方法，该方法包括：由所述半导体衬底形成具有第一侧壁和第二侧壁并且由所述半导体衬底的材料构成的结构；在所述结构的所述第一侧壁上形成氧化阻挡层；以及执行各向同性氧化工艺，以生成将所述结构与所述半导体衬底的其余部分电隔离的绝缘阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
