[发明专利]一种大功率器件表面保护材料去除方法有效
| 申请号： | 201210248188.2 | 申请日： | 2012-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN103545171A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 金波;宋世涛 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大功率器件表面保护材料去除方法，用以解决大功率器件表面保护材料去除方法存在保护材料去除不完全，去除成本高且损伤大功率器件表面金属层的问题。方法为：将表面覆盖保护材料的大功率器件置于浓度为96%~100%的硫酸溶液中，去除大功率器件表面由硅树脂材料构成的保护层一；将上述去除保护层一的大功率器件置于浓度为96%~100%的硝酸溶液中并加热至沸腾，去除大功率器件表面由聚酰亚胺类树脂材料构成的保护层二。该方法成本低廉，容易实现，能够达到快速方便地完全去除大功率器件表面保护材料，并且不损伤大功率器件表面金属层的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 器件 表面 保护 材料 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种大功率器件表面保护材料去除方法，其特征在于，包括：将表面覆盖保护材料的大功率器件置于浓度为96%~100%的硫酸溶液中，去除大功率器件表面由硅树脂材料构成的保护层一；将所述去除由硅树脂材料构成的保护层一的大功率器件置于浓度为96%~100%的硝酸溶液中并加热至沸腾，去除大功率器件表面由聚酰亚胺类树脂材料构成的保护层二。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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