[发明专利]集成过流保护的MOSFET及制造方法

摘要

本发明公开了一种集成过流保护的MOSFET，内置了NPN型晶体管和源极电阻，该器件在流过源端的电流超过额定值时，NPN型晶体管会自动调节MOSFET栅端电压，从而使器件的源端电流回到正常水平，具有过流的自我保护功能。本发明还公开了所述集成过流保护的MOSFET的制造方法。

主权项

一种集成过流保护的MOSFET，其特征在于：在N型外延层中具有两个P阱水平排布，一侧P阱用于沟槽型MOSFET单元，另一侧P阱是用于过流保护的NPN型晶体管单元；所述的沟槽型MOSFET单元，包含两个沟槽，两沟槽内壁附有一层氧化层后填充满栅极导电多晶硅，两沟槽之间P型阱区中上部靠沟槽分别具有重掺杂的N型区；一侧沟槽的外侧P阱区中上部也具有一重掺杂N型区；在NPN型晶体管单元所在的P阱中，包含有两个重掺杂N型区，分别构成NPN管的发射区和集电区，所述P阱作为NPN管的基区，在基区上具有一段二氧化硅，二氧化硅上淀积多晶硅，构成源极电阻；在包含MOSFET单元部分和NPN管单元部分的整个器件表面具有层间介质层；MOSFET单元部分，两沟槽之间的两个重掺杂N型区通过穿通层间介质的接触孔连接到顶层金属引出源极，靠近NPN管单元的沟槽通过穿通层间介质的接触孔连接到顶层金属引出栅极，远离NPN管单元的沟槽栅为水平引出；NPN管单元部分，所述两个重掺杂N型区通过穿通层间介质的接触孔引出连接到顶层金属分别形成NPN管的发射极及集电极，其集电极是与MOSFET的栅极连接，发射区通过穿通层间介质的接触孔连接到顶层金属，并与源极电阻的一端相连，NPN管的基区通过接触孔连接到顶层金属并再与源极电阻的另一端相连。