[发明专利]一种氧化锡室温气敏元件及其制备方法无效
| 申请号： | 201210249235.5 | 申请日： | 2012-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102788819A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 周东祥;刘欢;龚树萍;傅邱云;胡云香;郑志平;赵俊;万久晓 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;C25D11/34 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化锡室温气敏元件及其制备方法；该方法包括S 1：在洁净的氧化铝衬底上沉积一层厚度为400~1200纳米的金属锡薄膜，并对金属锡薄膜的表面进行抛光；S2：以沉积有金属锡薄膜的氧化铝衬底作为阳极，钛片为阴极，将阳极和阴极置于电解质溶液中，在阴阳电极两端施加5~12伏直流电压进行氧化后形成锡的氧化物薄膜，并用去离子水清洗所述锡的氧化物薄膜表面后自然干燥；S3：将锡的氧化物薄膜进行热处理后获得氧化锡薄膜；S4：将银浆料涂在氧化锡薄膜上并烧渗后获得气敏元件。本发明在薄膜烧结前采用阳极氧化形成了多孔的结构，利于气体的扩散和吸附，提高了材料与气体的接触面积，改善了气敏元件的灵敏度和响应时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 室温 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化锡室温气敏元件的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：S1：在洁净的氧化铝衬底上沉积一层厚度为400~1200纳米的金属锡薄膜，并对所述金属锡薄膜的表面进行抛光；S2：以沉积有所述金属锡薄膜的所述氧化铝衬底作为阳极，钛片为阴极，将所述阳极和阴极置于电解质溶液中，在阴阳电极两端施加直流电压进行氧化后形成锡的氧化物薄膜，并用去离子水清洗所述锡的氧化物薄膜表面后自然干燥；S3：将所述锡的氧化物薄膜进行热处理后获得氧化锡薄膜；S4：将导电浆料涂在所述氧化锡薄膜上并烧渗后获得气敏元件。
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