[发明专利]接触窗的形成方法无效
| 申请号： | 201210249302.3 | 申请日： | 2012-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN103531532A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 谢荣源;陈仕锡;韩敬仁 | 申请（专利权）人： | 力晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种接触窗的形成方法，其包括以下步骤：提供基底；形成图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层，其中非结晶碳层或旋涂式涂布材料层的两侧露出基底的表面；在基底上形成层间介电层；移除层间介电层的一部分以露出经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层；移除经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层而形成开口；以及对开口填充导电材料而形成接触窗。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种接触窗的形成方法，包括：提供一基底；形成图案化的一非结晶碳层或旋涂式涂布材料层，其中该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层的两侧露出该基底的表面；在该基底上形成一层间介电层；移除该层间介电层的一部分以露出经图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层；移除经图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层而形成一开口；以及对该开口填充一导电材料而形成一接触窗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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