[发明专利]一种电压缓冲器电路以及集成该电路的LDO

摘要

本发明公开了一种电压缓冲器电路以及集成该电路的LDO，缓冲器电路包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一电阻单元、第二电阻单元和一电容元件、一电流源。集成了该缓冲器电路的LDO，在推高功率管栅极寄生极点确保电路稳定性的同时增强了功率管栅极的电流下拉能力，减小了由轻载跳重载时的下冲尖峰，同时由于缓冲器电路中的RC高通耦合电路的作用，当电路工作频率在滤波截止频率附近时，对功率管栅极的充电电流会增大，减小了由重载跳向轻载时的上冲尖峰，在不显著增加静态功耗下，形成了推挽式输出，提高了LDO电路的瞬态响应。同时集成了本发明缓冲器电路的LDO结构简单，节约了芯片面积。

主权项

一种电压缓冲器电路，包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一电阻单元、第二电阻单元和一电容元件、一电流源，其中，第一MOS管的栅极作为所述电压缓冲器电路的输入端，源极与第四MOS管的漏极相连并作为所述电压缓冲器电路的输出端，第一MOS管的漏极与第四MOS管的栅极、第一电阻单元第一端子连接，第一电阻单元的第二端子连接至地电位；第二MOS管的源极和第三MOS管的源极与外部电源电压相连接，第二MOS管的漏极与第一MOS管的源极相连接，第二MOS管的栅极与第二电阻单元的第一端子相连，第二电阻单元的第二端子与第三MOS管的栅极相连；第三MOS管的栅极和漏极短接，并与所述电流源的第一端子相连接，电流源的第二端子接地；第四MOS管的栅极通过所述的电容元件与第二MOS管的栅极相连接，第四MOS管的源极接至地电位。