[发明专利]一种沟槽肖特基半导体装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201210249951.3 | 申请日： | 2012-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN103579368A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽肖特基半导体装置，本发明的半导体装置将肖特基势垒结设置在沟槽的侧壁，同时沟槽底部设置了绝缘层和反型区，减缓了肖特基势垒结附近电场强度随反向电压的升高而升高趋势，降低了肖特基镜像力的效应，从而提高了器件的反向击穿压降和降低了器件的反向漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 肖特基 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为第一导电类型半导体材料；漂移层，位于衬底层之上，为第一导电类型半导体材料；多个沟槽，位于漂移层表面；绝缘介质，位于沟槽底部，为绝缘材料构成；反型区，为第二导电类型半导体材料，被设置在临靠沟槽底部的漂移层中；肖特基势垒结，位于沟槽侧壁的第一导电类型半导体材料表面。
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