[发明专利]H型阵列离子阱及在其中进行离子-离子反应的方法有效
| 申请号： | 201210250694.5 | 申请日： | 2012-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102760635A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 唐飞;陈一;王晓浩 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01J49/26 | 分类号： | H01J49/26 |
| 代理公司： | 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 | 代理人： | 张良 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种H型阵列离子阱的设计，包括左离子阱、右离子阱和中心离子阱，所述左离子阱、所述右离子阱和所述中心离子阱分别由X平行电极对、Y平行电极对和Z平行电极对构成矩形离子阱；所述左离子阱、右离子阱和中心离子阱构成H型阵列；所述左离子阱和右离子阱平行设置，所述左离子阱的X平行电极对和所述右离子阱的X平行电极对相对；所述中心离子阱设置在所述左离子阱和右离子阱之间，所述中心离子阱的Z平行电极对分别和所述左离子阱的X平行电极对和所述右离子阱的X平行电极对相对。本发明提供了一种在H型阵列离子阱中进行离子-离子反应的方法。通过本发明能有效的减少离子在传输过程中的损耗，保证离子在离子阱间传输时的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 离子 其中 进行 反应 方法 | ||
【主权项】：
一种H型阵列离子阱，包括左离子阱、右离子阱和中心离子阱，所述左离子阱、所述右离子阱和所述中心离子阱分别由X平行电极对、Y平行电极对和Z平行电极对构成矩形离子阱，其特征在于：所述左离子阱、所述右离子阱和所述中心离子阱构成H型阵列；所述左离子阱和所述右离子阱平行设置，所述左离子阱的X平行电极对和所述右离子阱的X平行电极对相对；所述中心离子阱设置在所述左离子阱和所述右离子阱之间，所述中心离子阱的Z平行电极对分别和所述左离子阱的X平行电极对和所述右离子阱的X平行电极对相对。
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