[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210251355.9 | 申请日： | 2012-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN103579426A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 谢炎璋;许进恭;刘恒;李君超;施雅萱;陈嘉南 | 申请（专利权）人： | 华夏光股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/02;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人： | 陈波;文琦 |
| 地址： | 开曼群岛大开*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，包含p型掺杂层、n型掺杂层及内部电性连接层，其电性耦合于p型掺杂层与n型掺杂层之间。在一个实施例中，内部电性连接层包含四族元素与氮元素，且四族元素与氮元素的原子数占上述内部电性连接层总原子数百分比的50%以上。在另一个实施例中，内部电性连接层包含碳元素，其掺杂浓度大于1017原子/立方厘米。在又一个实施例中，内部电性连接层的形成温度小于p型掺杂层的形成温度及n型掺杂层的形成温度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包含：一个p型掺杂层；一个n型掺杂层；以及一个内部电性连接层，位于该p型掺杂层与该n型掺杂层之间，由此电性耦合所述p型掺杂层与所述n型掺杂层；其中，该内部电性连接层包含四族元素与氮元素，且该四族元素与该氮元素的原子数占所述内部电性连接层总原子数百分比的50%以上。
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