[发明专利]等离子体处理方法及等离子体灰化装置

摘要

本发明涉及等离子体处理方法及等离子体灰化装置,目的是提供在具有Low-k膜的试样的等离子体灰化处理中，边高速进行灰化处理，边抑制或减少对Low-k膜的膜损伤的处理方法。在对具有Low-k膜(15)的试样进行等离子体处理的等离子体处理方法中，具有：对上述试样进行等离子体蚀刻的工序；采用包含烃类气体即甲烷（CH4）气(19)与稀有气体即氩（Ar）气的混合气体，将等离子体蚀刻工序中经等离子体蚀刻的抗蚀剂掩模(13)、碳硬质掩模(14)、附着了反应生成物(16)的具有Low-k膜(15)的试样，采用来自甲烷（CH4）气(19)的碳（C+）自由基(18)与氢（H+）自由基(20)，进行等离子体灰化的工序。

主权项

等离子体处理方法，其是对具有Low‑k膜的试样进行等离子体处理的等离子体处理方法，其特征在于，具有：采用包含烃类气体与稀有气体的混合气体,在等离子体蚀刻工序中对经等离子体蚀刻的上述试样进行等离子体灰化的工序。