[发明专利]垂直式发光二极管晶粒及其制作方法无效
| 申请号： | 201210252683.0 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN103165806A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 朱俊宜;朱振甫;郑兆祯 | 申请（专利权）人： | 旭明光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种用以产生均匀白光的发光二极管组件，以及该发光二极管组件在晶圆层次及个别晶粒层次的制作方法。该发光二极管组件包括：一金属层；一p型半导体，耦接至该金属层；一主动区，耦接至该p型半导体；一n型半导体，耦接至该主动区；以及一波长转换层，耦接至该n型半导体的至少一部份；其中，该波长转换层实质上为保形的。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发光二极管 晶粒 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种垂直式发光二极管(VLED)晶粒，其包括：一第一金属，具有一第一表面、一相对的第二表面、及一第一面积；一第二金属，位于该第一金属的该第二表面之上，并具有一第二面积，其中，该第一金属的该第一面积大于该第二金属的该第二面积而形成一阶梯状结构；以及一位于该第一金属之上的磊晶堆栈，包括：一第一型半导体层，位于该第一金属的该第一表面之上；一用以发光的多重量子井(MQW)层，位于该第一型半导体层之上；及一第二型半导体层，位于该多重量子井(MQW)层之上。
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