[发明专利]光电转换装置有效
申请号: | 201210252771.0 | 申请日: | 2012-07-20 |
公开(公告)号: | CN102891257A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;李浩 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种窗层中的光吸收损失少且转换效率高的光电转换装置。一种光电转换装置,其中在结晶硅衬底的一个表面上包括第一硅半导体衬底、透光半导体层以及部分性地形成在上述透光半导体层上的第二硅半导体层及第一电极,而在该结晶硅衬底的另一个表面上包括第三硅半导体层、第四硅半导体层及第二电极。该透光半导体层由有机化合物和无机化合物构成。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 | ||
【主权项】:
一种光电转换装置,包括:结晶硅衬底;所述结晶硅衬底的一个表面上的第一硅半导体层;所述第一硅半导体层上的透光半导体层;部分性地形成在所述透光半导体层上的第二硅半导体层;以及形成在所述第二硅半导体层上的第一电极,其中,所述透光半导体层包括有机化合物和无机化合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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