[发明专利]光电转换装置有效

专利信息
申请号: 201210252771.0 申请日: 2012-07-20
公开(公告)号: CN102891257A 公开(公告)日: 2013-01-23
发明(设计)人: 山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 何欣亭;李浩
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种窗层中的光吸收损失少且转换效率高的光电转换装置。一种光电转换装置,其中在结晶硅衬底的一个表面上包括第一硅半导体衬底、透光半导体层以及部分性地形成在上述透光半导体层上的第二硅半导体层及第一电极,而在该结晶硅衬底的另一个表面上包括第三硅半导体层、第四硅半导体层及第二电极。该透光半导体层由有机化合物和无机化合物构成。
搜索关键词: 光电 转换 装置
【主权项】:
一种光电转换装置,包括:结晶硅衬底;所述结晶硅衬底的一个表面上的第一硅半导体层;所述第一硅半导体层上的透光半导体层;部分性地形成在所述透光半导体层上的第二硅半导体层;以及形成在所述第二硅半导体层上的第一电极,其中,所述透光半导体层包括有机化合物和无机化合物。
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