[发明专利]光刻版图、光刻胶图形及测量光刻胶图形曝光误差的方法在审
| 申请号： | 201210256296.4 | 申请日： | 2012-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN102809895A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 岳力挽;赵新民;周孟兴;王彩虹 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/44 | 分类号： | G03F1/44;G03F1/42;G03F7/20;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光刻版图、光刻胶图形及测量光刻胶图形曝光误差的方法，其中，所述光刻版图包括：第一单元区图形，所述第一单元区图形为矩形；位于所述第一单元区图形四个顶角外侧的四个第一标记图形，所述第一标记图形为“L”形，所述“L”形的两边分别与构成所述第一单元区图形顶角的相邻两边平行；位于所述第一单元区图形的一个顶角和所对应的第一标记图形外侧的第二标记，所述第二标记图形为“十”形，构成所述“十”形的两边分别与所对应的第一标记图形的两边平行。以所述光刻版图形成光刻胶图形时，仅需进行一次测量，即可得到在同一光刻胶层上两次曝光之间的曝光误差，减少了测量步骤，节约了测试时间。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 版图 图形 测量 曝光 误差 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻版图，其特征在于，包括：第一单元区图形，所述第一单元区图形为矩形；位于所述第一单元区图形四个顶角外侧的四个第一标记图形，所述第一标记图形为“L”形，所述“L”形的两边分别与构成所述第一单元区图形顶角的相邻两边平行；位于所述第一单元区图形的一个顶角和所对应的第一标记图形外侧的第二标记图形，所述第二标记图形为“十”形，构成所述“十”形的两边分别与所对应的第一标记图形的两边平行。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210256296.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
