[发明专利]一种非易失性高速存储单元，其存储器及其内部数据转存的控制方法在审
| 申请号： | 201210256531.8 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103544992A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 孙学进 | 申请（专利权）人： | 珠海艾派克微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 519000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性高速存储单元、包括该非易失性高速存储单元的存储器及其内部数据转存的控制方法，该非易失性高速存储单元包括双稳态锁存电路、非易失性存储电路和载入控制开关，该非易失性存储电路包括第一晶体管、可编程的第二晶体管和第三晶体管。该非易失性高速存储单元存取速度快，控制流程短，结构简单，能够很好地解决现有技术中存在的问题，而且在不进行“编程”或“载入”时，只有绝缘的栅极控制端FG连接到双稳态锁存电路，易失性存储单元与非易失性存储单元的隔离性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性 高速 存储 单元 存储器 及其 内部 数据 转存 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性高速存储单元，其包括双稳态锁存电路、非易失性存储电路和载入控制开关，该非易失性存储电路包括第一晶体管、可编程的第二晶体管和第三晶体管，所述第一晶体管包括：控制端，接受存储数据的控制电压；第一端，连接到双稳态锁存电路的第一稳态端；第二端；所述可编程的第二晶体管包括：控制端，连接到双稳态锁存电路的第二稳态端；第一端，连接到第一晶体管的第二端；第二端；所述第三晶体管包括：控制端，接受载入数据的辅助控制电压；第一端，连接到所述可编程的第二晶体管的第二端；第二端，连接到接地电位；所述载入控制开关的一端连接到双稳态锁存电路的第二稳态端，另一端连接到可编程的第二晶体管的第一端，其控制端接受载入数据的控制电压。
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