[发明专利]一种具有化学配比失配绝缘材料的电荷补偿半导体结装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201210258327.X | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103579370A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有化学配比失配绝缘材料的电荷补偿半导体结装置，本发明的半导体装置接一定的反向偏压时，漂移层中第一传导类型的半导体材料和第二传导类型的半导体材料形成电荷补偿结构，同时化学配比失配绝缘材料本身与漂移层半导体材料也产生电荷补偿，提高器件的反向击穿电压，从而改善了传统半导体器件导通电阻与反向阻断特性之间的矛盾；本发明还提供了一种具有化学配比失配绝缘材料的电荷补偿半导体结装置的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 化学 配比 失配 绝缘材料 电荷 补偿 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有化学配比失配绝缘材料的电荷补偿半导体结装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料、第二传导类型的半导体材料和化学配比失配绝缘材料交替排列构成，位于衬底层之上；半导体结材料层，为半导体材料或金属，位于漂移层表面，形成PN结或肖特基势垒结。
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