[发明专利]驱动电路

摘要

一种驱动电路，用以驱动功率金属氧化物半导体（MOS）晶体管，包含：具有相串联的第一开关NMOS晶体管、电流源以及第一箝位PMOS晶体管的第一驱动支路、具有相串联的第二开关NMOS晶体管、电流供应PMOS晶体管以及第二箝位PMOS晶体管的第二驱动支路以及电容串。第一及第二开关NMOS晶体管的第一及第二开关栅极分别接收开关信号及反相的开关信号。第一及第二箝位PMOS晶体管的第一及第二箝位栅极接收参考电压。第二箝位PMOS晶体管的第二箝位源极输出驱动电压至功率金属氧化物半导体晶体管的功率栅极。电容串将反相的开关信号耦合至电流供应PMOS晶体管的电流供应栅极。

主权项

一种驱动电路，用以驱动一功率金属氧化物半导体晶体管，包含：一第一驱动支路，包含：一第一开关N型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一开关栅极，用以接收一开关信号；一电流源；以及一第一箝位P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一箝位栅极，用以接收一参考电压，其中该第一箝位P型金属氧化物半导体晶体管的一第一箝位漏极连接于该第一开关N型金属氧化物半导体晶体管的一第一开关漏极，该第一箝位P型金属氧化物半导体晶体管的一第一箝位源极连接于该电流源；一第二驱动支路，包含：一第二开关N型金属氧化物半导体晶体管，具有一第二开关栅极，用以接收反相的该开关信号；一电流供应P型金属氧化物半导体晶体管，具有连接于该第一箝位源极的一电流供应栅极以及连接于一第一电位的一电流供应源极；以及一第二箝位P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第二箝位栅极，用以接收该参考电压，其中该第二箝位P型金属氧化物半导体晶体管的一第二箝位漏极连接于该第二开关N型金属氧化物半导体晶体管的一第二开关漏极，该第二箝位P型金属氧化物半导体晶体管的一第二箝位源极连接于该电流供应P型金属氧化物半导体晶体管的一电流供应漏极，其中该第二箝位源极输出一驱动电压至该功率金属氧化物半导体晶体管的一功率栅极；以及一电容串，包含相串联的多个电容，该电容串的一第一端用以接收反相的该开关信号，该电容串的一第二端连接于该电流供应P型金属氧化物半导体晶体管的该电流供应栅极，以将反相的该开关信号耦合至该电流供应栅极。