[发明专利]铸锭单晶硅的方法无效
申请号: | 201210258876.7 | 申请日: | 2012-07-24 |
公开(公告)号: | CN102747417A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 武鹏;游达;胡亚兰;郑玉芹 | 申请(专利权)人: | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
主分类号: | C30B11/14 | 分类号: | C30B11/14;C30B29/06 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 221004 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种铸锭单晶硅的方法,包括在容器底部紧密排列地铺设籽晶及在籽晶上面添加硅料的步骤,其特征在于,铺设的籽晶中,相邻籽晶相互接触的侧面晶向不同,籽晶相互接触的侧面晶向形成5~45度的夹角。上述铸锭单晶硅的方法中,相邻籽晶相互接触的侧面晶向之间的夹角,在晶体生长过程中沿此形成一定的晶界,通过该晶界可以释放由于籽晶接缝处引入的应力,减少缺陷的产生,同时晶界可以抑制位错扩散,减少位错的滑移距离,降低缺陷密度,提高转换效率。 | ||
搜索关键词: | 铸锭 单晶硅 方法 | ||
【主权项】:
一种铸锭单晶硅的方法,包括在容器底部紧密排列地铺设籽晶及在籽晶上面添加硅料的步骤,其特征在于,铺设的籽晶中,相邻籽晶相互接触的侧面晶向不同,籽晶相互接触的侧面晶向形成5~45度的夹角。
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