[发明专利]一种形成无负载效应大尺寸沟槽的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种形成无负载效应大尺寸沟槽的方法。本发明提出一种形成无负载效应大尺寸沟槽的方法，通过在金属硬掩膜刻蚀工艺之后沉积介质层充满大、小尺寸接触孔沟槽，并利用研磨工艺于大尺寸沟槽上形成碟陷区域，从而消除具有较大差别尺寸的沟槽在刻蚀时形成的负载效应，有效的避免了大尺寸沟槽内由于负载效应而造成的残留引起的连接失效，不仅提高了产品良率，还扩大了刻蚀工艺窗口，进一步提高刻蚀工艺性能。

主权项

一种形成无负载效应大尺寸沟槽的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一半导体结构上，从下至上顺序依次沉积层间介质层、阻挡层、低介电常数介质层、金属硬掩膜和氧化物层后，继续光刻工艺，于所述氧化物层的上表面形成光阻；步骤S2：以所述光阻为掩膜，依次刻蚀所述氧化物层和所述金属硬掩膜至所述低介电常数层，去除光阻后，形成小尺寸和大尺寸的接触孔凹槽；步骤S3：沉积介质层充满所述接触孔凹槽并覆盖剩余氧化物层，采用研磨工艺去除部分所述介质层至所述剩余氧化物层的上表面，并继续研磨去除所述剩余氧化物层和部分剩余金属硬掩膜，以在具有大尺寸的接触孔凹槽内剩余的介质层的上表面形成碟陷；步骤S4：继续单大马士革沟槽刻蚀工艺，以形成无负载效应的大尺寸沟槽。