[发明专利]应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构有效
| 申请号： | 201210259875.4 | 申请日： | 2012-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102751161A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李震宇;陈勇;江洪 | 申请（专利权）人： | 公安部第三研究所 |
| 主分类号： | H01J49/02 | 分类号： | H01J49/02;H05B3/42 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁;郑暄 |
| 地址： | 200031*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构，属于离子迁移谱技术领域。该应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构包括陶瓷绝缘管体和包围于所述的陶瓷绝缘管体中的管腔，且所述的陶瓷绝缘管体外覆盖有半导体电热膜。利用该半导体电热膜能够大幅提升离子迁移管的电热转换效率，进而降低离子迁移管探测仪的整体所需电能，同时，半导体电热膜本身的工作温度可达300℃以上，在清洗离子迁移管时，能有效缩短所需时间。且本发明的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构，其结构简单，成本低廉，应用范围也较为广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 离子 迁移 探测仪 半导体 加热 结构 | ||
【主权项】：
一种应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构，所述的离子迁移管结构包括陶瓷绝缘管体和包围于所述的陶瓷绝缘管体中的管腔，其特征在于，所述的陶瓷绝缘管体外覆盖有半导体电热膜。
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