[发明专利]一种高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法

摘要

本发明公开了一种高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法。该装置包括：不锈钢制作的密闭工作室、位于工作室内的石墨反应腔室、位于反应腔室的外围的加热组件；于反应腔室内设置有托盘槽，承载有碳化硅衬底的托盘放置于该托盘槽内；反应腔室具有一前后贯穿的通道，于通道的两端分别设置有进气装置和出气装置。处理时，将碳化硅衬底放入反应腔室内，然后进行抽真空、加热处理，接着通入反应气体，令碳化硅进行外延生长，最后取出即可。本发明的结构简单，相对于目前的石英管结构，其制作相对容易，并且便于加工，可用于处理面积较大的碳化硅。另外，本发明的工作室采用水冷不锈钢结构，具有较高的强度，不易损坏。

主权项

一种高温大面积碳化硅外延生长装置，其特征在于：该系统包括：一密闭工作室（10），该采用不锈钢材料制作的工作室（10）具有进样门（5）；一反应腔室（6），该反应腔室（10）位于所述的工作室（10）内；一加热组件（9），该加热组件（9）位于反应腔室（6）的外围，通过加热组件（9）对反应腔室（6）进行加热；于反应腔室（6）内设置有托盘槽（631），承载有碳化硅衬底的托盘（64）放置于该托盘槽（631）内；上述的反应腔室（6）具有一前后贯穿的通道（60），于通道（60）的两端分别设置有进气装置（7）和出气装置（8），所述的进气装置（7）和出气装置（8）安装在工作室（10）上，气体由进气装置（7）进入反应腔室（6）内，并由出气装置（8）排出。