[发明专利]集成调制器-激光器结构及其生产方法无效
| 申请号： | 201210260696.2 | 申请日： | 2006-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102790352A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 玛兹·罗索;西蒙·科达特;方瑞雨;盖德·艾伯特·罗格若 | 申请（专利权）人： | 安华高科技光纤IP(新加坡)私人有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本申请涉及集成调制器-激光器结构及其生产方法。由与激光源(6)集成的电吸收调制器(8)组成的结构中，电吸收调制器包括单独的金属触点焊盘(38)，其中金属触点焊盘(38)位于半绝缘层岛(14)上，半绝缘层岛例如Fe-InP岛。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 调制器 激光器 结构 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种集成的调制器‑激光器结构，包括：激光源(6)；与所述激光源(6)集成的电吸收调制器(8)，其中，所述电吸收调制器包括：衬底(10)；n‑InP缓冲层(26)，布置在所述衬底的上表面上；多量子阱结构(24)，布置在所述n‑InP缓冲层上；其他层结构，包括包层(32)和触点层(34)，布置在所述多量子阱结构上；局部半绝缘层岛(14)，其具有上部、下部以及侧部，所述侧部在所述岛的上部与下部之间延伸，所述多量子阱结构与所述局部半绝缘岛的侧部接触但不存在于所述局部半绝缘岛的正下方；电吸收调制器触点焊盘(38、40)，所述触点焊盘布置在所述其他层结构上并位于所述局部半绝缘层岛(14)上方，使得所述触点焊盘对准所述岛并以所述岛为中心。
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