[发明专利]多晶硅沉积装置有效

专利信息
申请号: 201210260881.1 申请日: 2012-07-25
公开(公告)号: CN103482629A 公开(公告)日: 2014-01-01
发明(设计)人: 朴钟薰;金昇铉;李旭基;李昶徕;姜承吾;朴奎东;张今相 申请(专利权)人: 半材料株式会社
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 姜虎;陈英俊
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及的多晶硅沉积装置,其特征在于,包括:反应室;N个硅芯棒,其配置在反应室内部,并具有通过电流通电的一对硅棒,并被通电的电流加热,且通过工艺气体的反应而沉积多晶硅;夹套单元,形成有M个收容孔,该收容孔收容具有一对硅棒的N个硅芯棒,工艺气体被供给至该收容孔并进行反应,而且,所述夹套单元冷却被收容于M个收容孔的硅芯棒的一对硅棒。
搜索关键词: 多晶 沉积 装置
【主权项】:
一种多晶硅沉积装置,其特征在于,包括:反应室;N个硅芯棒,配置在所述反应室内部,具有通过电流通电的一对硅棒,并被通电的电流加热,且通过工艺气体的反应而沉积多晶硅;夹套单元,形成有M个收容孔,该收容孔收容具有一对所述硅棒的N个所述硅芯棒,工艺气体被供给至该收容孔并进行反应,而且,所述夹套单元冷却被收容于M个所述收容孔的所述硅芯棒的一对所述硅棒。
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