[发明专利]一种双极性多级平面阻变存储器及其导电衬底与制备方法有效
| 申请号： | 201210261360.8 | 申请日： | 2012-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102800806A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 孙健;张伟风;贾彩虹 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 陈浩 |
| 地址： | 475004*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双极性多级平面阻变存储器及其导电衬底与制备方法，包括掺杂Nb的SrTiO3单晶导电衬底，在导电衬底的一侧表面上制备有用于与导电衬底的接触界面形成阻变层的肖特基电极，该侧表面上还制备有与所述肖特基电极分离设置的欧姆电极；所述肖特基电极由大功函数的金属或金属氧化物构成，所述欧姆电极由小功函数的金属构成；所述导电衬底掺杂Nb含量为0.05~1%。本发明所述的双极性多级阻变存储器为水平方向的平面结构，所有电极都在同一水平面上，这样的结构有利于存储器实现大规模高密度的集成。电极的制备过程与阻变层的形成过程有机的结合在一起，简化了器件的制备流程，使阻变层的性质更加稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极性 多级 平面 存储器 及其 导电 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双极性多级平面阻变存储器，其特征在于，包括掺杂Nb的SrTiO3单晶导电衬底，在导电衬底的一侧表面上制备有用于与导电衬底的接触界面形成阻变层的肖特基电极，该侧表面上还制备有与所述肖特基电极分离设置的欧姆电极；所述导电衬底掺杂Nb含量为0.05~1%。
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