[发明专利]版图逻辑运算方法以及集成电路制造方法

摘要

本发明提供了一种针对浅层离子注入层的版图逻辑运算方法以及集成电路制造方法。首先获取这些浅层离子注入层的版图；根据版图图案计算出光刻胶图案；从光刻胶图案中找出光刻胶细长线条，光刻胶细长线条指的是长度大于第一尺寸且宽度小于第二尺寸同时位于浅槽隔离上的光刻胶部分；由于光刻胶线条邻接部分的器件区域掺杂类型相同，同时浅槽隔离上的该离子注入是无效的，即对器件无影响；所以可将光刻胶线条邻接部分与隔离区上的光刻胶线条合并。根据本发明，通过将光刻胶线条邻接部分与隔离区上的光刻胶线条合并，可以消除这种浅槽隔离上的细长光刻胶线条。

主权项

一种针对浅层离子注入层的版图逻辑运算方法，其特征在于包括：首先获取这些浅层离子注入层的版图，版图是版图设计人员画的原始版图，或者是经过逻辑运算产生的层的版图；根据版图图案计算出光刻胶图案；从光刻胶图案中找出位于隔离区上的光刻胶细长线条，所述光刻胶细长线条指的是长度大于第一尺寸且宽度小于第二尺寸的光刻胶部分；其中，由于光刻胶细长线条邻接部分的器件区域掺杂类型相同，同时隔离区上的该离子注入是无效的，所以可将所述光刻胶细长线条邻接部分与所述光刻胶细长线条合并。