[发明专利]沟槽的制作方法在审
| 申请号： | 201210261904.0 | 申请日： | 2012-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102751186A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 肖培;奚裴 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽的制作方法，包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成图形化的硬掩膜层；以所述图形化的硬掩膜层为掩膜，采用六氟化硫和氧气对所述半导体衬底进行蚀刻；所述蚀刻过程包括多个蚀刻阶段，并且在所述多个蚀刻阶段中所述六氟化硫和氧气的气体流量比例逐渐减小，以形成沟槽。本发明沟槽的制作方法，能够提高沟槽的生产效率和生产质量。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 制作方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽的制作方法，包括以下步骤：步骤（S1）、提供半导体衬底；步骤（S2）、在所述半导体衬底上形成图形化的硬掩膜层；步骤（S3）、以所述图形化的硬掩膜层为掩膜，采用六氟化硫和氧气对所述半导体衬底进行蚀刻；其特征在于，在所述步骤（S3）中，所述蚀刻过程包括多个蚀刻阶段，并且在所述多个蚀刻阶段中所述六氟化硫和氧气的气体流量比例逐渐减小，以形成沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
