[发明专利]半导体制造系统无效
| 申请号： | 201210261976.5 | 申请日： | 2012-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102760634A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 沈瑜俊;赵洪涛;王喆;马东;吴奇昆;孙亭 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的半导体制造系统包括：液体管道、漏液阻挡装置、具有处理腔的第一处理装置、与所述第一处理装置连接的第二处理装置、以及布置在所述第二处理装置上的第三处理装置；其中，所述液体管道在连接点与具有处理腔的第一处理装置的腔体盖相连；并且，所述第二处理装置和所述第三处理装置布置在具有处理腔的第一处理装置的所述连接点的下方；所述漏液阻挡装置在所述连接点与所述第三处理装置之间，其中，所述漏液阻挡装置用于在液体管道在与具有处理腔的所述第一处理装置的所述腔体盖相连接的所述连接点处发生漏液时接纳从所述液体管道泄漏出来的液体，从而防止从所述液体管道泄漏出来的液体接触所述第二处理装置和所述第三处理装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 系统 | ||
【主权项】：
一种半导体制造系统，其特征在于包括：液体管道、漏液阻挡装置、具有处理腔的第一处理装置、与所述第一处理装置连接的第二处理装置、以及布置在所述第二处理装置上的第三处理装置；其中，所述液体管道在连接点与具有处理腔的第一处理装置的腔体盖相连；并且，所述第二处理装置和所述第三处理装置布置在具有处理腔的第一处理装置的所述连接点的下方；所述漏液阻挡装置在所述连接点与所述第三处理装置之间，其中，所述漏液阻挡装置用于在液体管道在与具有处理腔的所述第一处理装置的所述腔体盖相连接的所述连接点处发生漏液时接纳从所述液体管道泄漏出来的液体，从而防止从所述液体管道泄漏出来的液体接触所述第二处理装置和所述第三处理装置。
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