[发明专利]一种传感器的制造方法有效
申请号: | 201210262962.5 | 申请日: | 2012-07-26 |
公开(公告)号: | CN102800750A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 徐少颖;谢振宇;陈旭 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种传感器的制造方法,包括:在衬底基板上通过一次构图工艺形成源极和漏极的图形、数据线的图形、接收电极的图形、光电二极管的图形,以及透明电极的图形;通过一次构图工艺形成欧姆层的图形;通过一次构图工艺形成有源层的图形;通过一次构图工艺形成栅极绝缘层的图形,所述栅极绝缘层在透明电极的上方具有通孔;通过一次构图工艺形成栅极的图形、栅线的图形,以及在透明电极的上方通过通孔与透明电极连接的偏压线的图形。对比于现有技术,本发明方法在制造工艺上减少了掩模板的使用数量,降低了制造成本,简化了生产工艺,大大提升了设备产能及产品的良品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种传感器的制造方法,其特征在于,包括:在衬底基板上通过一次构图工艺形成源极和漏极的图形,与漏极连接的数据线的图形,与源极连接的接收电极的图形,位于接收电极之上的光电二极管的图形,以及位于光电二极管之上的透明电极的图形;其中,所述源极和漏极相对而置形成沟道;通过一次构图工艺形成位于源极和漏极之上的欧姆层的图形;通过一次构图工艺形成位于欧姆层之上并覆盖沟道的有源层的图形;通过一次构图工艺形成栅极绝缘层的图形,所述栅极绝缘层在透明电极的上方具有通孔;通过一次构图工艺形成位于栅极绝缘层之上、沟道上方的栅极的图形,与栅极连接的栅线的图形,以及在透明电极的上方通过通孔与透明电极连接的偏压线的图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的