[发明专利]一种传感器的制造方法有效

专利信息
申请号: 201210262962.5 申请日: 2012-07-26
公开(公告)号: CN102800750A 公开(公告)日: 2012-11-28
发明(设计)人: 徐少颖;谢振宇;陈旭 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种传感器的制造方法,包括:在衬底基板上通过一次构图工艺形成源极和漏极的图形、数据线的图形、接收电极的图形、光电二极管的图形,以及透明电极的图形;通过一次构图工艺形成欧姆层的图形;通过一次构图工艺形成有源层的图形;通过一次构图工艺形成栅极绝缘层的图形,所述栅极绝缘层在透明电极的上方具有通孔;通过一次构图工艺形成栅极的图形、栅线的图形,以及在透明电极的上方通过通孔与透明电极连接的偏压线的图形。对比于现有技术,本发明方法在制造工艺上减少了掩模板的使用数量,降低了制造成本,简化了生产工艺,大大提升了设备产能及产品的良品率。
搜索关键词: 一种 传感器 制造 方法
【主权项】:
一种传感器的制造方法,其特征在于,包括:在衬底基板上通过一次构图工艺形成源极和漏极的图形,与漏极连接的数据线的图形,与源极连接的接收电极的图形,位于接收电极之上的光电二极管的图形,以及位于光电二极管之上的透明电极的图形;其中,所述源极和漏极相对而置形成沟道;通过一次构图工艺形成位于源极和漏极之上的欧姆层的图形;通过一次构图工艺形成位于欧姆层之上并覆盖沟道的有源层的图形;通过一次构图工艺形成栅极绝缘层的图形,所述栅极绝缘层在透明电极的上方具有通孔;通过一次构图工艺形成位于栅极绝缘层之上、沟道上方的栅极的图形,与栅极连接的栅线的图形,以及在透明电极的上方通过通孔与透明电极连接的偏压线的图形。
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