[发明专利]具有嵌入式光伏电池的阵列基板的制作方法及其制得的阵列基板有效

专利信息
申请号: 201210264249.4 申请日: 2012-07-27
公开(公告)号: CN102751242A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 张鑫狄 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L31/18;G02F1/1362
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种具有嵌入式光伏电池的阵列基板的制作方法及其制得的阵列基板,所述制作方法包括以下步骤:步骤1、提供基板;步骤2、在基板上形成透明导电层;步骤3、在透明导电层上形成导电增强层;步骤4、在导电增强层上形成光伏层;步骤5、在光伏层形成金属层;步骤6、通过光罩制程在金属层、光伏层、导电增强层及透明导电层上形成开口;步骤7、在金属层上形成透明绝缘层;步骤8、在透明绝缘层上形成TFT阵列。本发明通过在基板上形成一光伏电池,在该光伏电池上形成TFT阵列,以简单的制程将光伏电池嵌入阵列基板中,进而利用背光源发出的光线为液晶显示面板元件或配件供电,充分利用背光源所发出的光能,节省了对外部电能的消耗。
搜索关键词: 具有 嵌入式 电池 阵列 制作方法 及其
【主权项】:
一种具有嵌入式光伏电池的阵列基板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、提供基板;步骤2、在基板上形成透明导电层;步骤3、在透明导电层上形成导电增强层;步骤4、在导电增强层上形成光伏层;步骤5、在光伏层形成金属层;步骤6、通过光罩制程在金属层、光伏层、导电增强层及透明导电层上形成开口;步骤7、在金属层上形成透明绝缘层;步骤8、在透明绝缘层上形成TFT阵列。
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