[发明专利]具有嵌入式光伏电池的阵列基板的制作方法及其制得的阵列基板有效
申请号: | 201210264249.4 | 申请日: | 2012-07-27 |
公开(公告)号: | CN102751242A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 张鑫狄 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L31/18;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种具有嵌入式光伏电池的阵列基板的制作方法及其制得的阵列基板,所述制作方法包括以下步骤:步骤1、提供基板;步骤2、在基板上形成透明导电层;步骤3、在透明导电层上形成导电增强层;步骤4、在导电增强层上形成光伏层;步骤5、在光伏层形成金属层;步骤6、通过光罩制程在金属层、光伏层、导电增强层及透明导电层上形成开口;步骤7、在金属层上形成透明绝缘层;步骤8、在透明绝缘层上形成TFT阵列。本发明通过在基板上形成一光伏电池,在该光伏电池上形成TFT阵列,以简单的制程将光伏电池嵌入阵列基板中,进而利用背光源发出的光线为液晶显示面板元件或配件供电,充分利用背光源所发出的光能,节省了对外部电能的消耗。 | ||
搜索关键词: | 具有 嵌入式 电池 阵列 制作方法 及其 | ||
【主权项】:
一种具有嵌入式光伏电池的阵列基板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、提供基板;步骤2、在基板上形成透明导电层;步骤3、在透明导电层上形成导电增强层;步骤4、在导电增强层上形成光伏层;步骤5、在光伏层形成金属层;步骤6、通过光罩制程在金属层、光伏层、导电增强层及透明导电层上形成开口;步骤7、在金属层上形成透明绝缘层;步骤8、在透明绝缘层上形成TFT阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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