[发明专利]IGBT沟槽型栅极的制造方法

摘要

本发明公布了一种IGBT沟槽型栅极的制造方法，其将栅极导电多晶硅分两次成长：第一次生长较厚的一层多晶硅，但保持沟槽开口，之后在第一层多晶硅的缝隙间引入一层缓冲层，然后生长最后的多晶硅将沟槽填满，缓冲层将被多晶硅环绕，减少多晶硅膜的收缩效应，降低硅片面内应力，以形成低应力IGBT沟槽型栅极，改善硅片翘曲度，以避免工艺流程中的传送问题，且保证两次生长的多晶硅相互连通成为一体，作为一个整体的栅极，不会影响器件的电性。

主权项

一种IGBT沟槽型栅极的制造方法，其特征在于：包含如下工艺步骤：第1步，在沟槽内生长一层栅氧化层；第2步，采用LPCVD法淀积第一层多晶硅；第3步，对第一层多晶硅进行回刻，打开沟槽的开口；第4步，对沟槽剩余的缝隙间采用LPCVD法填充缓冲层；第5步，对缓冲层进行回刻，将硅片表面以及沟槽顶部的缓冲层刻蚀干净，同时沟槽内的缝隙间保留有一定的缓冲层；第6步，采用LPCVD法淀积第二层多晶硅，多晶硅将缝隙的缓冲层包裹且与第一层多晶硅连接形成整体构成栅极。