[发明专利]电子可编程熔丝空置接触孔添加方法以及电子可编程熔丝无效
| 申请号： | 201210264521.9 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102738075A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/525 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电子可编程熔丝空置接触孔添加方法以及电子可编程熔丝。电子可编程熔丝包括：第一电极、第二电极以及多晶硅熔丝；其中，所述多晶硅熔丝布置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且，所述多晶硅熔丝与所述第一电极以及所述第二电极连接；并且根据本发明的电子可编程熔丝空置接触孔添加方法包括：在所述多晶硅熔丝上布置一个或多个附加空置接触孔。其中，所述多晶硅熔丝包括第一金属硅化物部分和第二金属硅化物部分；其中所述第一金属硅化物部分为空置接触孔下方的金属硅化物，所述第二金属硅化物部分为多晶硅熔丝的非空置接触孔下方的区域的金属硅化物。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 可编程 空置 接触 添加 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种电子可编程熔丝空置接触孔添加方法，所述电子可编程熔丝包括：第一电极、第二电极以及多晶硅熔丝；其中，所述多晶硅熔丝布置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且，所述多晶硅熔丝与所述第一电极以及所述第二电极连接；其特征在于所述电子可编程熔丝空置接触孔添加方法包括：在所述多晶硅熔丝上布置一个或多个附加空置接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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