[发明专利]一种在闪存芯片制造过程中应用多晶硅源极接触窗的方法无效
| 申请号： | 201210265281.4 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN103579120A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李煦 | 申请（专利权）人： | 和舰科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 贺小明 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出一种在Flash芯片制造过程中应用多晶硅源极接触窗的方法，该方法包括：步骤1：对Flash芯片进行层间介质沉积；步骤2：用一块光罩打开源极的区域，而后沉积一层多晶硅；步骤3：把多晶硅蚀刻到浮动阈值以下，然后进行植入掺杂；步骤4：把源极打开的区域用磷硅玻璃填起来，然后进行化学机械抛光；步骤5：做触点蚀刻，利用氧化物/多晶硅蚀刻的高选择比，使其停在源极的多晶硅上。本发明提出的方法和传统方法相比，多了步骤2、3和4，这样能够缩小源极和控制栅之间的距离，有效减小Flash芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 芯片 制造 过程 应用 多晶 硅源极 接触 方法 | ||
【主权项】：
一种在Flash芯片制造过程中应用多晶硅源极接触窗的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1：对Flash芯片进行层间介质沉积；步骤2：用一块光罩打开源极的区域，而后沉积一层多晶硅；步骤3：把多晶硅蚀刻到浮动阈值以下，然后进行植入掺杂；步骤4：使用磷硅玻璃填充源极打开的区域，然后进行化学机械抛光；步骤5：做触点蚀刻，利用氧化物/多晶硅蚀刻的高选择比，使其停在源极的多晶硅上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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