[发明专利]用于FinFET的结构有效
| 申请号： | 201210265529.7 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN103383964A | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于FinFET的结构。其中，一种SRAM阵列由多个FinFET形成，这些FinFET由鳍线形成。每个鳍线形成于衬底中，其中鳍线的底部部分由隔离区域包围，并且鳍线的上部分在隔离区域的顶表面上方突出。从SRAM阵列的第一横截面图观看，每个鳍线为矩形形状。从SRAM阵列的第二横截面图观看，每个鳍线的端子为锥形形状。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 finfet 结构 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：隔离区域，形成在衬底中；鳍线，形成在所述衬底中，其中：所述鳍线被第一栅电极结构包围，以形成第一晶体管；并且所述鳍线的末端为锥形形状，所述鳍线包括：沟道，连接在所述第一晶体管的第一漏极/源极区域与第二漏极/源极区域之间；以及第二栅电极，包围所述鳍线，以形成伪晶体管。
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