[发明专利]一种制备CdTe多晶薄膜的方法

摘要

一种制备CdTe多晶薄膜的方法。其特征在于通过磁控溅射方法，对基片施加偏压，获得不同形貌的CdTe多晶薄膜，改善了晶粒尺寸、表面粗糙度、不同相组成、晶体的结晶质量。通过基片施加偏压，可以得到CdCl2退火处理前后均没有内应力的薄膜，CdCl2退火处理后，晶粒尺寸的大小得到了优化，明显提高了CdTe多晶太阳能电池的转化效率。

主权项

一种制备CdTe多晶薄膜的方法，其特征在于，所述的制备方法包括以下步骤：1）在磁控溅射炉放置基片的位置放上具有透明导电薄膜的基底，通过导电的固定基片的探针，使基底透明导电薄膜和外加电压设备相连；然后关闭磁控溅射真空腔室，对腔室内抽真空，同时对基底进行加热；2）当磁控溅射腔室的背底真空至少到达10‑3Pa以下时，基底温度到达设定的温度时，开始在具有透明导电薄膜的基底上溅射CdS多晶薄膜；当CdS厚度到达设定的厚度时，停止CdS的生长，然后把基片转向到正对CdTe靶的位置，启动射频电源开始溅射CdTe薄膜，同时打开外接的施加电压的设备对基片施加偏压，直到CdTe的厚度达到预设的厚度；把外接的施加电压的设备关闭，同时停止CdTe薄膜的生长，停止对基底加热，随炉冷却。然后取出生长了CdS和CdTe薄膜的基片；3）在CdCl2气氛中对制备的CdS和CdTe薄膜进行退火处理；在CdCl2处理后的CdTe薄膜上蒸镀导电背电极。