[发明专利]启动器的过流保护装置以及启动器有效
申请号: | 201210266695.9 | 申请日: | 2012-07-30 |
公开(公告)号: | CN102842899A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 汪宁;李国宏;汪辉;陈杰;章琦;袁盾山 | 申请(专利权)人: | 上海中科高等研究院 |
主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孙佳胤;翟羽 |
地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明是有关于一种启动器的过流保护装置,包括一上拉晶体管、一输入采样晶体管和一控制晶体管;所述输入采样晶体管的栅极电学连接至过流保护装置的控制端,源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极,漏/源极接地;所述控制晶体管的栅极电学连接至一控制信号端;源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极,漏/源极电学连接至高电平端;所述上拉晶体管的漏/源极电学连接至高电平端,源/漏极电学连接至过流保护装置的输出端。 | ||
搜索关键词: | 启动器 保护装置 以及 | ||
【主权项】:
一种启动器的过流保护装置,其特征在于,包括一上拉晶体管、一输入采样晶体管和一控制晶体管;所述输入采样晶体管的栅极电学连接至过流保护装置的控制端,源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极,漏/源极接地;所述控制晶体管的栅极电学连接至一控制信号端;源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极,漏/源极电学连接至高电平端;所述上拉晶体管的漏/源极电学连接至高电平端,源/漏极电学连接至过流保护装置的输出端。
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