[发明专利]用于RF-LDMOS器件的新型栅结构

摘要

本发明公开了一种用于RF-LDMOS器件的新型栅结构，本发明在传统的栅结构上覆盖了一层栅极扩展层（其材料可以是重掺杂的半导体，例如多晶硅，或者金属硅化物或者甚至是金属），栅的宽度取决于LDMOS的最小栅长，这一长度是随着工艺特征尺度的减小而不断减小的，但是在相同栅宽情况下，LDMOS的栅电阻就会不断增加。本发明在栅上面增加了一层栅极扩展层，其宽度可以比较宽，其能够减小在相同栅宽情况下的栅电阻，从而提高功率增益。

主权项

一种用于RF‑LDMOS器件的新型栅结构，包括RF‑LDMOS基本结构（1），RF‑LDMOS基本结构（1）包括最下层的重掺杂衬底（2）区、设于重掺杂衬底（2）区上的外延层（3）以及设于外延层（3）上方的栅（13），所述的外延层（3）内设置有重掺杂源区（8）、重掺杂漏区（6），所述的重掺杂源区（8）、重掺杂漏区（6）分别位于栅（13）的不同侧，在所述的外延层（3）内位于所述的重掺杂源区（8）、重掺杂漏区（6）之间依次设有沟道区（9）以及漏漂移区（5），所述的沟道区（9）与重掺杂源区（8）和漏漂移区（5）相接触，其特征在于，所述的重掺杂源区（8）和重掺杂衬底（2）之间设置有重掺杂连接或用导电物填充的沟槽（4），沟槽内的重掺杂或者导电物与重掺杂衬底（2）和重掺杂源区（8）相接触，所述的漏漂移区（5）与重掺杂漏区（6）相接触，所述的栅（13）位于沟道区（9）上方，所述的栅（13）上覆盖有一层栅极扩展层（14），所述的栅极扩展层（14）与栅（13）相接触。