[发明专利]双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体有效

专利信息
申请号: 201210267243.2 申请日: 2012-07-30
公开(公告)号: CN102899629A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 梨木智刚;坂田义昌;菅原英男;家仓健吉;滨田明;伊藤喜久;石桥邦昭 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: C23C14/56 分类号: C23C14/56;C23C14/54;B32B15/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 岳雪兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体,该成膜方法能够通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等,有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。将卷绕成卷筒状的长基体的第一面作为被成膜面而沿第一辊室朝向第二辊室的方向从第一辊室输出,对输出的基体进行脱气,在第一成膜室,在脱气的基体的第一面成膜第一膜材料,在第二成膜室,在第一膜材料上成膜第二膜材料,在第二辊室将层积有膜材料的基体卷绕成卷筒状,将与第一面相反一侧的第二面作为被成膜面而沿方向从第一辊室输出卷绕的基体,重复进行上述所有的处理。
搜索关键词: 双面 真空 方法 利用 获得 层积
【主权项】:
一种成膜方法,其是在长基体上连续地进行真空成膜的方法,其特征在于,包括:a)将卷成卷筒状的长基体的第一面作为被成膜面,沿从第一辊室朝向第二辊室的方向从所述第一辊室输出卷筒状的长基体的步骤;b)对沿所述方向输出的所述基体进行脱气的步骤;c)在第一成膜室,在进行了脱气的所述基体的所述第一面将第一膜材料成膜的步骤;d)在第二成膜室,在所述基体的所述第一面上成膜的第一膜材料上将第二膜材料成膜的步骤;e)在所述第二辊室,将在所述基体的所述第一面的所述第一膜材料上层积有所述第二膜材料的所述基体卷绕成卷筒状的步骤;f)将与所述第一面相反一侧的第二面作为被成膜面,沿所述方向从所述第一辊室输出在所述第二辊室卷绕的所述基体的步骤;g)对沿所述方向输出的所述基体进行脱气的步骤;h)在所述第一成膜室,在进行了脱气的所述基体的所述第二面将所述第一膜材料成膜的步骤;i)在第二成膜室,在所述基体的所述第二面上成膜的所述第一膜材料上将所述第二膜材料成膜的步骤;j)在所述第二辊室,将在所述基体的所述第一面与所述第二面这两面的所述第一膜材料上层积有所述第二膜材料的所述基体卷绕成卷筒状的步骤。
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