[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201210268617.2 | 申请日： | 2012-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102800708A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 杜振源;高逸群;吴淑芬;林俊男 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件及其制作方法，其中半导体元件包括一栅极、一通道层、一栅绝缘层、一源极、一漏极以及一硅铝氧化物层。栅极配置于基板上。通道层配置于基板上，且与栅极重叠设置。栅极绝缘层位于栅极与通道层之间。源极以及漏极设置于通道层二侧。硅铝氧化物层配置于基板上并覆盖源极、漏极以及通道层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括：一栅极，配置于一基板上；一通道层，配置于该基板上，且与该栅极重叠设置；一栅绝缘层，位于该栅极与该通道层之间；一源极以及一漏极，设置于该通道层二侧；以及一硅铝氧化物层，配置于该基板上并覆盖该源极、该漏极以及该通道层。
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