[发明专利]双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体有效

专利信息
申请号: 201210268890.5 申请日: 2012-07-30
公开(公告)号: CN102899630B 公开(公告)日: 2017-03-01
发明(设计)人: 梨木智刚;坂田义昌;菅原英男;家仓健吉;滨田明;伊藤喜久;石桥邦昭 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: C23C14/56 分类号: C23C14/56;C23C14/54;B32B15/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 岳雪兰
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体,该成膜方法能够通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等,有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。卷成卷筒状的长基体的第一面作为被成膜面,沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从第一辊室输出卷筒状的长基体,使沿第一方向输出的基体脱气,在第二成膜室在基体第一面将第二膜材料成膜,在第二辊室将使第二膜材料成膜的基体卷绕成卷筒状,沿从第二辊室朝第一辊室的第二方向从第二辊室输出,在第一成膜室在第二膜材料上将第一膜材料成膜,在第一辊室将在第二膜材料上层积第一膜材料的基体卷绕成卷筒状,将与第一辊室卷绕的基体的第一面相反侧的第二面作为被成膜面,重复上述全部处理。
搜索关键词: 双面 真空 方法 利用 获得 层积
【主权项】:
一种成膜方法,其是在长基体上连续地进行真空成膜的方法,其特征在于,包括:a)将卷成卷筒状的长基体的第一面作为被成膜面,沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从所述第一辊室输出卷筒状的长基体的步骤;b)对沿所述第一方向输出的所述基体进行脱气的步骤;c)在第二成膜室,在进行了脱气的所述基体的所述第一面将第二膜材料成膜的步骤;d)在所述第二辊室,将使第二膜材料成膜的所述基体卷绕成卷筒状的步骤;e)将在所述第二辊室卷绕的所述基体沿从所述第二辊室朝向所述第一辊室的第二方向从所述第二辊室输出的步骤;f)在第一成膜室,在沿所述第二方向输出的所述基体的所述第一面上成膜的第二膜材料上,将第一膜材料成膜的步骤;g)在所述第一辊室,将在所述基体的所述第一面的所述第二膜材料上层积有所述第一膜材料的所述基体卷绕成卷筒状的步骤;h)将与所述第一面相反一侧的第二面作为被成膜面,沿所述第一方向从所述第一辊室输出在所述第一辊室卷绕的所述基体的步骤;i)对沿所述第一方向输出的所述基体进行脱气的步骤;j)在所述第二成膜室,在进行了脱气的所述基体的所述第二面将所述第二膜材料成膜的步骤;k)在所述第二辊室,使所述第二膜材料成膜的所述基体卷绕成卷筒状的步骤;l)将在所述第二辊室卷绕的所述基体沿所述第二方向从所述第二辊室输出的步骤;m)在所述第一成膜室,在沿所述第二方向输出的所述基体的所述第二面上成膜的第二膜材料上,将所述第一膜材料成膜的步骤;n)在所述第一辊室,将在所述基体的所述第一面与所述第二面这两面的所述第二膜材料上层积有所述第一膜材料的所述基体卷绕成卷筒状的步骤。
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