[发明专利]一种以静电保护膜为媒介转移石墨烯薄膜的方法有效
申请号: | 201210269206.5 | 申请日: | 2012-07-31 |
公开(公告)号: | CN102774118A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 邱玉锐;谭化兵;王振中 | 申请(专利权)人: | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 |
主分类号: | B32B37/00 | 分类号: | B32B37/00;B32B38/10 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 杨晞 |
地址: | 214177 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种以静电保护膜为媒介转移石墨烯薄膜的方法,所述方法是利用静电保护膜的静电吸附作用贴合包含生长衬底的石墨烯,然后将生长衬底去除,得到石墨烯/静电保护膜结合体,最后将单层石墨烯/静电保护膜结合体贴合于目标基底上,释放静电去除静电保护膜,得到单层石墨烯薄膜;或者在得到单层石墨烯/静电保护膜结合体后,以单层石墨烯/静电保护膜结合体代替静电保护膜,在新的包含生长衬底的石墨烯上依次重复进行贴合石墨烯/静电保护膜、去除生长衬底,最后得到多层石墨烯薄膜。所述方法操作简便、无残胶、不需要有机溶剂进行后续清洗,从而降低了转移石墨烯薄膜的工艺成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 静电 保护膜 媒介 转移 石墨 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种以静电保护膜为媒介转移石墨烯薄膜的方法,其特征在于,所述方法是利用静电保护膜的静电吸附作用贴合包含生长衬底的石墨烯,然后将生长衬底去除,得到单层石墨烯/静电保护膜结合体,最后将单层石墨烯/静电保护膜结合体贴合于目标基底上,释放静电去除静电保护膜,得到单层石墨烯薄膜;所述方法还可在得到单层石墨烯/静电保护膜结合体后,以单层石墨烯/静电保护膜结合体代替静电保护膜,在新的包含生长衬底的石墨烯上依次重复进行以下两步骤n‑1次:贴合石墨烯/静电保护膜、去除衬底;从而制备得到n层石墨烯薄膜,所述n的取值为≥2的整数。
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