[发明专利]高温蚀刻工艺槽有效
| 申请号： | 201210270325.2 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN102842526A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 耿彪 | 申请（专利权）人： | 耿彪 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京神州华茂知识产权代理有限公司 11358 | 代理人： | 吴照幸 |
| 地址： | 101125 北京市通*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体LED芯片制作装置。本发明公开了一种高温蚀刻工艺槽，包括槽盖、防腐外壳、保温隔热层、加热装置、抑制气体挥发装置、降温装置、工艺槽本体、连接供液装置，所述槽盖位于工艺槽本体顶部，保温隔热层位于防腐外壳内，工艺槽本体位于保温隔热层与工艺槽之间，加热装置设置在工艺槽本体底部，抑制气体挥发装置固定在工艺槽本体的上部，降温装置固定在工艺槽本体内壁，连接供液装置从工艺槽本体顶部插入到工艺槽本体内。本发明耐高温，防腐蚀，抑制腐蚀气体挥发，减少工艺槽内药液损耗，能控制药液升温时间及药液温度的均匀性，能降温排放药液。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 蚀刻 工艺 | ||
【主权项】：
一种高温蚀刻工艺槽，其特征在于：包括槽盖、防腐外壳、保温隔热层、加热装置、抑制气体挥发装置、降温装置、工艺槽本体、连接供液装置，所述槽盖位于工艺槽本体顶部，保温隔热层位于防腐外壳内，工艺槽本体位于保温隔热层与工艺槽之间，加热装置设置在工艺槽本体底部，抑制气体挥发装置固定在工艺槽本体的上部，降温装置固定在工艺槽本体内壁，连接供液装置从工艺槽本体顶部插入到工艺槽本体内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于耿彪，未经耿彪许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210270325.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种硅橡胶绝缘火灾感温扁电缆
- 下一篇：节水面盆
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
