[发明专利]半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法有效
| 申请号： | 201210270367.6 | 申请日： | 2008-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN102779917A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 卡尔·恩格尔;卢茨·赫佩尔;克里斯托夫·艾克勒;马蒂亚斯·扎巴蒂尔;安德烈亚斯·魏玛 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/38;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;陈炜 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体芯片（1），其具有半导体本体（2），该半导体本体包括带有设计用于产生辐射的有源区（25）的半导体层序列。在半导体本体（2）上设置有反射结构（3），反射结构具有反射层（4）以及至少局部地设置在反射层和半导体本体之间的介电层结构（5）。介电层结构（5）具有多个介电层（51，52），借助介电层形成介电反射结构。介电层结构（5）具有凹处（55）。在半导体本体（2）上设置有接触结构（6），该接触结构设置在介电层结构（5）的至少一个凹处（55）中。此外，提出了一种用于制造半导体芯片的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片（1），其具有半导体本体（2），该半导体本体包括带有设计用于产生辐射的有源区（25）的半导体层序列，其中‑在半导体本体（2）上设置有反射结构（3），该反射结构具有反射层（4）以及至少局部地设置在反射层（4）和半导体本体（2）之间的介电层结构（5）；‑介电层结构（5）具有多个介电层（51，52），借助介电层形成介电反射结构；‑介电层结构（5）具有凹处（55）；以及‑在半导体本体（2）上设置有接触结构（6），该接触结构设置在介电层结构（5）的至少一个凹处（55）中。
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