[发明专利]用于双重图案化设计的掩模处理在审
| 申请号： | 201210270656.6 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103367119A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 杨景峰;陈启平;陈殿豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成半导体器件的方法及由此形成的产品。该方法包括采用例如双重图案化或者多重图案化技术在掩模层中形成图案。处理掩模以平滑或圆化尖边角。在其中在掩模中形成正图案的实施例中，处理可以包括等离子体工艺或者各向同性湿蚀刻。在其中在掩模中形成负图案的实施例中，处理可以包括在掩模图案上方形成共形层。共形层具有圆化尖边角的效果。可以采用其他技术平滑或者圆化掩模的边角。本发明提供了用于双重图案化设计的掩模处理。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 双重 图案 设计 处理 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在第一掩模层中形成第一图案；对所述第一掩模层实施平滑工艺，所述平滑工艺圆化所述第一掩模层的边角；以及采用所述第一掩模层作为掩模图案化下层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
