[发明专利]镭射隐形切割晶粒的方法无效
| 申请号： | 201210270674.4 | 申请日： | 2012-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN102896428A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 单立伟 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种镭射隐形切割晶粒的方法，在镭射隐形切割过程中，切割面上有一次或多次改变切痕深度，使切割痕呈现深浅交错状。本发明的提供的方法使部份切割痕距元件主要作用区距离变大，因而减少对元件主要作用区的影响，减小了元件损伤；在后续制程中避免出现晶粒崩裂，并且分离容易，提高了后续制程的优良率。 | ||
| 搜索关键词： | 镭射 隐形 切割 晶粒 方法 | ||
【主权项】：
一种镭射隐形切割晶粒的方法，其特征在于，在镭射隐形切割过程中，切割面上有一次或多次改变切痕深度，使切割痕呈现深浅交错状。
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