[发明专利]具有三维阵列结构的存储装置

摘要

本发明公开了一种具有三维阵列结构的存储装置，该三维阵列结构包含存储层及放置于存储层之间的晶体管结构；每一个存储层与一共同电极连接，而且每一个晶体管结构包含分享共同集极结构和共同基极结构的晶体管；每一个晶体管结构也包含一射极结构通过共同基极结构而与共同集极结构分隔；当所需电流方向逆转时，三维阵列的寻址功能不变，只需将集极及射极的定义对调即可。

主权项

一种存储装置，包含：一存储层具有相对的第一及第二表面部分，且该第一及第二表面部分均与一共同电极连接；第一及第二晶体管阵列，包含晶体管分别与该存储层的该第一及第二表面部分连接，其中该第一晶体管阵列中的每一个晶体管可以操作用来将该存储层的该第一表面部分的一个别记忆储存区域寻址，且该第二晶体管阵列中的每一个晶体管可以操作用来将该存储层的该第二表面部分的一个别记忆储存区域寻址；其中该第一晶体管阵列包含共同柱状结构，该共同柱状结构通过横向放置的多个共同基极；其中安置于该第一晶体管阵列每一行中的晶体管分享一共同柱状结构，及安置于该第一晶体管阵列每一列中的晶体管分享一共同基极结构；以及其中该第一晶体管阵列中的每一个晶体管包含一连接结构，该连接结构通过一共同基极与一各自的共同柱状结构分隔，且该连接结构与该存储层连接。