[发明专利]存储器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210272652.1 | 申请日： | 2012-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN103094475A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 郑怀瑜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器装置及其制造方法，该存储器装置包括一衬底以及一在衬底上的存储器阵列。存储器阵列包括多个存储单元，这些存储单元包括多个在一封装材料层中的受应力的相变材料。存储单元可包括存储单元结构，例如蕈状(mushroom-type)存储单元结构、桥型(bridge-type)存储单元结构、通孔中主动型(active-in-via)存储单元结构以及孔型(pore-type)存储单元结构。受应力的相变材料可包括一般的锗锑碲合成(GST，GexSbxTex)材料与特别的Ge2Sb2Te5。为了制造存储器装置，首先制造一衬底。包括在一封装材料层中的相变材料的存储单元被形成于衬底的一正面上。一拉伸(tensile)的或压缩(compressive)应力被诱发形成在衬底的正面上的相变材料中。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器装置的制造方法，包括：提供一衬底；于该衬底的一正面上形成多个存储单元，该多个存储单元包括多个相变材料，该多个相变材料位于一封装材料层中；以及使应力诱发形成在该多个相变材料中，使该多个相变材料成为受应力的相变材料。
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