[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法在审
| 申请号： | 201210272796.7 | 申请日： | 2012-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN102916016A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 金度贤;姜闰浩;李东勋;朴常镐;柳世桓;金澈圭;李镕守;赵圣行;张宗燮;金东朝;李政奎 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板。根据本发明示例性实施方式的薄膜晶体管阵列面板包括：设置在基板上的栅极布线层；设置在栅极布线层上的氧化物半导体层；以及设置在氧化物半导体层上的数据布线层，其中数据布线层包括包含铜的主布线层和设置在主布线层上且包含铜合金的盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管阵列面板，包括：栅极布线层，设置在基板上；氧化物半导体层，设置在所述栅极布线层上；以及数据布线层，设置在所述氧化物半导体层上，其中所述数据布线层包括主布线层和设置在所述主布线层上的盖层，以及其中所述主布线层包括铜并且所述盖层包括铜合金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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