[发明专利]一种低成本大面积石墨烯透明导电膜制备方法无效
| 申请号： | 201210273075.8 | 申请日： | 2012-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN102815695A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 许子寒 | 申请（专利权）人： | 许子寒 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种使用氧化石墨烯碎片或石墨烯碎片制备任意面积大小石墨烯薄膜的方法，本发明使用高温再结晶的方法，取代传统化学气相沉积法，避免了使用昂贵的高纯气源。是一种低成本制备高质量大面积石墨烯透明薄膜的方法，适合工业化大规模量产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低成本 大面积 石墨 透明 导电 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低成本大面积石墨烯透明导电膜制备方法，其特征在于，制备步骤如下：（1）将氧化石墨烯碎片或者石墨烯碎片作为溶质分散于溶剂中，形成质量分数为0.01%~10% 的溶液；（2） 将溶液液涂覆于衬底上并将溶剂挥发干，使石墨烯或者氧化石墨烯薄膜碎片均匀且连续地附着于衬底上成膜；（3） 将步骤2所得到的薄膜置于已经将氧分子除净，并被惰性气体保护的腔体中，升温至500oC~1500oC，保持高温10分钟以上，使碎片内和碎片边缘的碳分子在高温下重新排布再结晶；（4） 将步骤3中所得到的石墨烯薄膜快速降温至室温；（5）将步骤4中所得到的石墨烯薄膜转移至透明衬底上，即得到转移好的大面积透明导电薄膜。
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